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“1.25G带TIA的雪崩光电二极管组件”参数说明
| 类型： | 雪崩二极管 | 封装形式： | 金属外壳封装 |
| 管脚引出方式： | 5管脚 |
“1.25G带TIA的雪崩光电二极管组件”详细介绍
1.25Gb/s InGaAs APD-TIA
特性：
？ 高灵敏度、高可靠性
？ 差分输出
？ 内置AGC电路
？ 1310nm/1550nm响应波长
应用：
？ 电信
？ 数字通讯
光电特性：
Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit
Wavelength λ - 1260 1610 Nm
TIA Voltage Vcc - 3.0 3.3 3.5 V
APD breakdown voltage VBR Id=10uA 30 60 V
Saturation power Ps AC，RL=50 -3 dBm
-3dB Bandwidth BW AC,RL=50,pin=-3dBm、M=10 850 10 MHz
Dark curent Id - 0.5 2 nA
Responsibility R Pin=-3dBm,λ=1310nm 0.85 0.90 A/W
Sensitivity Sen BER=E ，PBR=2 -1，AC,BL=50Ω, λ=1310nm -36 -35 dBm
额定极限值：
Parameter Symbol Min. Max. Unit
TIA Supply Voltage Vcc 0 3.9 V
TIA Supply Curent Icc 0 70 mA
APD Voltage Vapd 0 VBR V
APD Curent Iapd 2 mA
Storage Temperature Tst -40 +85 ℃
Operating Temperature Top -40 +85 ℃
Solder Temperature Ts 260℃(＜10Sec)
特性：
？ 高灵敏度、高可靠性
？ 差分输出
？ 内置AGC电路
？ 1310nm/1550nm响应波长
应用：
？ 电信
？ 数字通讯
光电特性：
Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit
Wavelength λ - 1260 1610 Nm
TIA Voltage Vcc - 3.0 3.3 3.5 V
APD breakdown voltage VBR Id=10uA 30 60 V
Saturation power Ps AC，RL=50 -3 dBm
-3dB Bandwidth BW AC,RL=50,pin=-3dBm、M=10 850 10 MHz
Dark curent Id - 0.5 2 nA
Responsibility R Pin=-3dBm,λ=1310nm 0.85 0.90 A/W
Sensitivity Sen BER=E ，PBR=2 -1，AC,BL=50Ω, λ=1310nm -36 -35 dBm
额定极限值：
Parameter Symbol Min. Max. Unit
TIA Supply Voltage Vcc 0 3.9 V
TIA Supply Curent Icc 0 70 mA
APD Voltage Vapd 0 VBR V
APD Curent Iapd 2 mA
Storage Temperature Tst -40 +85 ℃
Operating Temperature Top -40 +85 ℃
Solder Temperature Ts 260℃(＜10Sec)
