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“1W稳压二极管”参数说明
| 封装形式： | 厚膜封装 | 内部结构： | 双稳压 |
| 电流容量： | 小功率（＜1.5A） | 产量： | 5000000 |
“1W稳压二极管”详细介绍
产品参数：
加工定制：否
产品类型：稳压管
是否进口：否
品牌：TAILIYING
型号：稳压二极管1W
材料：硅（Si）
用途：小家电
备注：好质量
场效应管：
现在越来越多的电子电路都在使用场效应管，特别是在音响领域更是如此，场效应管与晶体管不同，它是一种电压控制器件（晶体管是电流控制器件），其特性更象电子管，它具有很高的输入阻抗，较大的功率增益，由于是电压控制器件所以噪声小，其结构简图如图C-a.
场效应管是一种单极型晶体管，它只有一个P-N结，在零偏压的状态下，它是导通的，如果在其栅极（G）和源极（S）之间加上一个反向偏压（称栅极偏压）在反向电场作用下P-N变厚（称耗尽区）沟道变窄，其漏极电流将变小，（如图C1-b），反向偏压达到一定时，耗尽区将完全沟道“夹断”，此时，场效应管进入截止状态如图C-c，此时的反向偏压我们称之为夹断电压，用Vpo表示，它与栅极电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo＝Vps＋｜Vgs｜，这里｜Vgs｜是Vgs的绝对值。
在制造场效应管时，如果在栅极材料加入之前，在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话，则将会大大地减小栅极电流，也大大地增加其输入阻抗，由于这一绝缘层的存在，场效应管可工作在正的偏置状态，我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管，又称MOS场效应管，所以场效应管有两种类型，一种是绝缘栅型场效应管，它可工作在反向偏置，零偏置和正向偏置状态，一种是结型栅型效应管，它只能工作在反向偏置状态。
绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种，我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管，在正常情况下断开的称增强型效应管。增强型场效应管特点：当Vgs＝0时Id（漏极电流）＝0，只有当Vgs增加到某一个值时才开始导通，有漏极电流产生。并称开始出现漏极电流时的栅源电压Vgs为开启电压。
耗尽型场效应管的特点，它可以在正或负的栅源电压（正或负偏压）下工作，而且栅极上基本无栅流（非常高的输入电阻）。
结型栅场效应管应用的电路可以使用绝缘栅型场效应管，但绝缘栅增强型场效管应用的电路不能用结型栅场效应管代替
加工定制：否
产品类型：稳压管
是否进口：否
品牌：TAILIYING
型号：稳压二极管1W
材料：硅（Si）
用途：小家电
备注：好质量
场效应管：
现在越来越多的电子电路都在使用场效应管，特别是在音响领域更是如此，场效应管与晶体管不同，它是一种电压控制器件（晶体管是电流控制器件），其特性更象电子管，它具有很高的输入阻抗，较大的功率增益，由于是电压控制器件所以噪声小，其结构简图如图C-a.
场效应管是一种单极型晶体管，它只有一个P-N结，在零偏压的状态下，它是导通的，如果在其栅极（G）和源极（S）之间加上一个反向偏压（称栅极偏压）在反向电场作用下P-N变厚（称耗尽区）沟道变窄，其漏极电流将变小，（如图C1-b），反向偏压达到一定时，耗尽区将完全沟道“夹断”，此时，场效应管进入截止状态如图C-c，此时的反向偏压我们称之为夹断电压，用Vpo表示，它与栅极电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo＝Vps＋｜Vgs｜，这里｜Vgs｜是Vgs的绝对值。
在制造场效应管时，如果在栅极材料加入之前，在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话，则将会大大地减小栅极电流，也大大地增加其输入阻抗，由于这一绝缘层的存在，场效应管可工作在正的偏置状态，我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管，又称MOS场效应管，所以场效应管有两种类型，一种是绝缘栅型场效应管，它可工作在反向偏置，零偏置和正向偏置状态，一种是结型栅型效应管，它只能工作在反向偏置状态。
绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种，我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管，在正常情况下断开的称增强型效应管。增强型场效应管特点：当Vgs＝0时Id（漏极电流）＝0，只有当Vgs增加到某一个值时才开始导通，有漏极电流产生。并称开始出现漏极电流时的栅源电压Vgs为开启电压。
耗尽型场效应管的特点，它可以在正或负的栅源电压（正或负偏压）下工作，而且栅极上基本无栅流（非常高的输入电阻）。
结型栅场效应管应用的电路可以使用绝缘栅型场效应管，但绝缘栅增强型场效管应用的电路不能用结型栅场效应管代替
